什么是单极型晶体管和双极型晶体管？
一、单极型晶体管在目前使用的pnp或npn面结型晶体管的工作中，包括金属-氧化物-半导体晶体管在内的场效应晶体管，只需要一种载流子，这种晶体管就叫做单极晶体管。单极晶体管即场效应晶体管，因为场效应晶体管在工作时，半导体中只有多数载流子起主要作用，所以又称为单极晶体管。二、双极型晶体管晶体管全称双极型三极管(Bipolar junction transistor，BJT)又称晶体三极管，简称三极管，是一种固体半导体器件，可用于检波、整流、放大、开关、稳压、信号调制等。晶体管作为一种可变开关．基于输入的电压，控制流出的电流，因此晶体管可用作电流的开关。和一般机械开关(如Relay、switch)不同的是：晶体管是利用电讯号来控制，而且开关速度非常快，在实验室中的切换速度可达100吉赫兹以上。扩展资料双极型晶体管与MOSFET的比较：1、驱动功率不同 场效应管是压控器件，其栅源极输入阻抗极高，只需要在栅源极间建立电场，即可控制漏源极电流。栅极驱动电压仅在输入端栅源极电容之间建立充电电流，而不直接驱动IDS。因此，其输入阻抗与电子管相近，这就使得MOSFET器件驱动电路大大简化，用CMOS器件、TTL 器件等均可以组成栅极驱动电路，使整机功耗减小。 2、二次击穿现象不同二次击穿是指由于双极型晶体管具有正温度系数特性，集电极电流产生的温升使集电极电流上升，如此恶性循环，造成晶体管热击穿。功率MOS管电流IDS为负温度系数，随着温度的升高，电流受到限制，因此不会发生二次击穿现象，安全工作区较双极型器件也更宽。3、并联使用不同为了增大MOSFET的工作电流，可以把多个MOS管并联使用。功率MOS器件的导通电阻RDS(ON)具有正温度系数，随着温度的升高，导通电阻也越大。这种特性使得MOS管容易并联，并且在并联使用时漏极电流具有自动均流作用，不必外加均流电阻。 4、开关速度不同场效应管是一种由多数载流子参与导电的单极型器件，通过控制栅源电压控制产品的开关，无少子存储问题，因而关断过程非常迅速；当驱动脉冲截止时，只要利用简单的放电电路将栅源电容的充电电荷释放即可立即关断。相比双极型晶体管，功率MOS管具有输入阻抗高、驱动电流小的优点，还具有耐压高、输出功率高、跨导线性好、无二次击穿等优良特性，能够有效提高系统效率、减小设备体积，因此在开关电源、逆变器、功率放大器等电路中使用广泛。参考资料来源：百度百科-单极晶体管参考资料来源：百度百科-双极型晶体管
什么是双极型晶体管
摘要：双极型晶体管是由两个背靠背PN结构成的以获得电压、电流或信号增益的晶体三极管，是一种电流控制器件。那么双极型晶体管工作原理是什么呢？在双极性晶体管的正常工作状态下，基极-发射极结处于正向偏置状态，而基极-集电极则处于反向偏置状态。从而完成工作，具体的什么是双极型晶体管以及双极型晶体管工作原理是什么，一起到文中来寻找答案吧！一、什么是双极型晶体管双极型晶体管是一种电流控制器件，电子和空穴同时参与导电。同场效应晶体管相比，双极型晶体管开关速度慢，输入阻抗小，功耗大。双极型晶体管体积小、重量轻、耗电少、寿命长、可靠性高，已广泛用于广播、电视、通信、雷达、计算机、自控装置、电子仪器、家用电器等领域，起放大、振荡、开关等作用。晶体管：用不同的掺杂方式在同一个硅片上制造出三个掺杂区域，并形成两个PN结，就构成了晶体管。二、双极型晶体管工作原理是什么NPN型双极性晶体管可以视为共用阳极的两个二极管接合在一起。在双极性晶体管的正常工作状态下，基极-发射极结（称这个PN结为“发射结”）处于正向偏置状态，而基极-集电极（称这个PN结为“集电结”）则处于反向偏置状态。在没有外加电压时，发射结N区的电子（这一区域的多数载流子）浓度大于P区的电子浓度，部分电子将扩散到P区。同理，P区的部分空穴也将扩散到N区。这样，发射结上将形成一个空间电荷区（也成为耗尽层），产生一个内在的电场，其方向由N区指向P区，这个电场将阻碍上述扩散过程的进一步发生，从而达成动态平衡。这时，如果把一个正向电压施加在发射结上，上述载流子扩散运动和耗尽层中内在电场之间的动态平衡将被打破，这样会使热激发电子注入基极区域。在NPN型晶体管里，基区为P型掺杂，这里空穴为多数掺杂物质，因此在这区域电子被称为“少数载流子”。
